Koncepcja PVD
PVD = Physical Vapour Deposition (fizyczne osadzenie z fazy gazowej)
- KRÓTKA HISTORIA:
Po wielu latach badań nad procesami szczególnie w Rosji i Niemczech, inżynieria powierzchni została rozwinięta i uprzemysłowiona od lat 80-tych.
PVD jest obecnie stosowane w różnych gałęziach przemysłu, takich jak półprzewodniki, optyka, szkło, narzędzia skrawające i zastosowania dekoracyjne. Najnowsze osiągnięcia to powłoki trybologiczne i ogniwa słoneczne.
Target chromowy (Cr) Target tytan-aluminium (TiAl) Target aluminium-tytan-krzem (AlTiSi)
- PODSTAWOWA ZASADA:
Wszystkie procesy, które umożliwiają przeniesienie z materiału na poziom atomowy w warunkach próżni to PVD.
Powstaje w ten sposób cienka warstwa o grubości od kilku nanometrów do około 10 mikronów.
- Procesy PVD:
- Rozpylanie magnetronowe:
- Wysoka próżnia → wprowadzanie z gazu obojętnego (argonu lub azotu).
- Zjonizowany gaz (Ar+) → Jony uderzają w target, który jest naładowany ujemnie.
- Rozerwane atomy → pokrywają podłoże.
Target wolfram-węglik (WC) Target krzem-aluminium (SiAl) Target aluminium-chrom (AlCr)
-
- Parowanie za pomocą łuku katodowego:
- Wysoka próżnia → wprowadzanie z gazu obojętnego (argonu lub azotu).
- Łuk elektryczny jest inicjowany na tarczy.
- Strumień elektronów uderza w katodę.
- Ogrzewanie skupione → odparowywanie z materiału pokrywającego podłoże.
Target aluminium-tytan (AlTi) Target tytanowy (Ti) Target chromowy (Cr)
-
- Parowanie metodą Joule’a i wiązką elektronów:
- Kształt materiału to granulki lub druty, załadowane do tygla.
- Wysoka próżnia.
- Tygiel jest ogrzewany przez opornik lub materiał w nim umieszczony jest uderzany działem elektronowym.
- Odparowanie i następnie kondensacja na podłożu.
Izolator ceramiczny (Al2O3) Target grafitowy (C) Część ceramiczna