Nociones de PVD
PVD = Physical Vapour Deposition (deposición física de vapor).
- Una breve historia:
Después de años de investigación sobre los procesos, especialmente en Rusia y Alemania, la ingeniería de superficies se ha desarrollado e industrializado fuertemente desde los años 80.
Actualmente el PVD se aplica en diferentes ramas industriales, como la de semiconductores, óptica, vidrio, herramientas de corte y aplicaciones decorativas. Los avances más recientes son los recubrimientos tribológicos y células solares.

Target de cromo (Cr) Target de titanio y aluminio (TiAl) Target de aluminio, titanio y silicio (AlTiSi)
- PRINCIPIO BÁSICO:
Reúne todas las técnicas de deposición al vacío que permiten la transferencia de materia en estado atómico.
Permite un recubrimiento fino: desde unos pocos nanómetros hasta unos 10 micrómetros de espesor.
- LOS PROCESOS DE PVD:
- Pulverización con magnetrón:
- Alto vacío → introducción de gas neutro (Argón o Nitrógeno).
- Gas ionizado (Ar+) → Los iones impactan los objetivos que tienen carga negativa.
- Átomos extraidos → se depositan en el sustrato.


Target Carburo de Tungsteno (WC) Target Silicio Aluminio (SiAl) Target Aluminio Cromo (AlCr)
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- Evaporación por arco catódico:
- Alto vacío → introducción de un gas neutro (Argón o Nitrógeno)
- Arco eléctrico iniciado en la superficie del objetivo.
- El flujo de electrones golpea el cátodo.
- Calentamiento localizado → evaporación del material que recubre el sustrato.


Objetivo de aluminio y titanio (AlTi) Objetivo de titanio (Ti) Objetivo de cromo (Cr)
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- Evaporación por efecto Joule o evaporación por haz de electrones:
- Material en forma de gránulos o hilos, cargados en un crisol.
- Alto vacío
- El crisol se calienta mediante una resistencia o el material del interior se golpea con un cañón de electrones.
- Evaporación y siguiente condensación sobre el sustrato.


Aislador de alúmina (Al2O3) Objetivo de grafito (C) Tapa de cerámica
